长鑫科技推出全新第五代技术平台，实现产量显著提升

长鑫科技在2026世界制造业大会上宣布其第五代技术平台已正式投入量产。该平台的创新使得内存阵列的有源区半间距缩减至11.95纳米，存储器电容的深宽比达到45:1，核心动能区的高度减少至6762纳米。同时，存储密度显著提高，晶圆产出相比于前一代平台提升超过50%。基于这一技术平台生产的24GB LPDDR5X产品已开始量产，并广泛应用于国产主流旗舰手机。长鑫存储官网显示，其LPDDR5X产品涵盖颗粒、芯片和模组多种形式。颗粒方面有12Gb和16Gb两种容量选择；芯片方案提供12GB、16GB及24GB规格；模组产品包括16GB和32GB容量的LPCAMM。该系列支持8533Mbps、9600Mbps和10667Mbps三种速率，并兼容LPDDR5标准，为用户提供灵活的升级选择。